伦敦大学研究人员宣布，他们拿出了第一个纯粹基于氧化硅的电阻 RAM（ReRAM）内存芯片。该芯片可以在室温环境当中正常工作，因此可以用在未来超快内存上。

　　ReRAM 内存芯片的基础材料，在施加电压情况下会改变电阻，使它们可以不需要电能就能保存数据。这些芯片以更少的电力和空间消耗，带来比目前芯片大得多的存储空间。

　　伦敦大学电子和电气工程学院的研发人员表示，和目前闪存芯片相比，ReRAM 内存芯片能耗只有其千分之一，存储速度却要快上数百倍。

　　ReRAM 室温运行特点，加上连续可变电阻特性，使其有巨大的潜在应用范围。研发人员表示，不像其他研发中的氧化硅芯片，其设备不需要真空工作环境，因此更便宜，更耐用。