硅基半导体能包含多达数十亿个晶体管，如果想提高半导体的性能需要缩小晶体管的尺寸以缩短电子的移动距离，或是利用可提高电子移动速度的材料。石墨烯因拥有较快的电子移动速度而受到关注，但由于其金属属性无法隔离电流而成为一个难题。晶体管中用数据信号“0和1”来表示电流的流动与切断。如果想用石墨烯来代替硅，需要通过半导体化过程。但在这个过程中石墨烯内电子的移动速度会明显降低，所以有不少人对石墨烯产生质疑。三星电子综合技术院研发出了不改变石墨烯本身也可隔离电流的材料。接合石墨烯和硅，形成一个叫做肖特基势垒(Schottky Barrier)的壁垒，通过调整这个壁垒的高度可以实现电流的开关。由于要直接调整这个壁垒，三星电子为这个元件命名为“Graphene Barristor”。